DRAM 掰掰，次世代記憶體換 MRAM、PRAM 當家？

[ TechNews //作者 MoneyDJ | 發布日期 2016 年 07 月 11 日 15:20 | 分類晶片 , 記憶體 , 零組件]

DRAM 發展快到盡頭，磁性記憶體（MRAM）和相變記憶體（PRAM）是最有潛力的接班人？IBM 和三星電子最近宣稱，「自旋傳輸磁性記憶體（STT-MRAM）」的研究出現突破，有望加速走上商用之途。

韓媒 BusinessKorea 11 日報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的 STT-MRAM 的生產技術，成功實現 10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越 DRAM。

STT-MRAM 藉著改變薄膜內的電子旋轉方向、控制電流，表現效能和價格競爭力都優於 DRAM。最重要的是，DRAM 很難微縮至 10 奈米以下，STT-MRAM 則沒有此一困擾。業界人士表示，STT-MRAM 是次世代記憶體中最實際的替代方案，95% 的現行 DRAM 產設備皆可用於製造 STT-MRAM。IBM 和三星之外，SK 海力士（SK Hynix）和東芝（Toshiba）也協力研發此一技術。

除了 STT-MRAM，近來相變記憶體（PRAM）也備受矚目，英特爾的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技術。PRMA 結合 DRAM 和 NAND Flash 優點，速度和耐用性提高 1 千倍，不過目前仍在理論階段。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載）

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DRAM 微縮已到極限，新記憶體 MRAM、ReRAM 等接班？

作者 MoneyDJ | 發布日期 2015 年 06 月 17 日 16:00 | 分類晶片 , 零組件

DRAM 和 NAND Flash 微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」（MRAM）、「可變電阻式記憶體」（ReRAM）可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。

韓媒 BusinessKorea 16 日報導，南韓半導體業者指出，16 奈米將是 DRAM 微縮製程的最後極限，10 奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，

也可能不適合採用高介電常數（High-K）材料和電極。MRAM 和 ReRAM 因此備受期待，認為可以取代 DRAM 和 NAND Flash，業者正全力研發。

兩種新記憶體都是非揮發性記憶體，切斷電源後資料也不會消失，速度比現行記憶體快上數十倍到數百倍之多，由於內部構造較為簡單，理論上未來微縮製程也有較大發展空間。其中 MRAM 採用磁阻效應（Magnetoresistance）技術，研發業者有 SK 海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）。ReRAM 則靠著絕緣體的電阻變化，區別 0 和 1，外界認為或許能取代 NAND 型快閃記憶體（NAND Flash）。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：Flickr/htomari CC BY 2.0）

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搶在美光前！東芝、海力士合作於 2016 年量產 MRAM

作者 MoneyDJ | 發布日期 2014 年 01 月 02 日 8:15 | 分類晶片 , 財經

日經新聞 2014 年 1 月 1 日報導，東芝（Toshiba）將攜手南韓海力士（SK Hynix）於2016年度量產可大幅提高智慧型手機性能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）」，量產時間將比美國美光科技（Micron Technology）所計畫的 2018 年提前了約2年時間。

報導指出，東芝和 Hynix 於 2011 年開始共同研發 MRAM，並計畫於 2014 年度內進行試作品的出貨。據報導，東芝/Hynix 將利用位於首爾郊外的 Hynix 主力工廠生產 MRAM 試作品、最快並計畫於 2016 年度進行量產，且若後續 MRAM 呈現普及，雙方也計畫設立合資公司、並計畫在南韓投資 1,000 億日圓興建專用產線。

目前 MRAM 的研發可分為三大陣營，除了上述的東芝/Hynix 之外，三星電子（Samsung Electronics）也正進行研發，而美光則和東京威力科創（Tokyo Electron）等 20 家以上日美半導體相關企業進行合作，希望於 2016 年度確立 MRAM 的量產技術、之後並計劃於 2018 年透過美光子公司爾必達（Elpida）的廣島工廠進行量產。MRAM 為一種低耗電力且寫入速度極快的非揮發性記憶體，且即便切斷電源資料也不會消失；和現行主流記憶體「DRAM」相比，MRAM 的記憶容量及寫入速度可大幅提高至 10 倍，且搭載 MRAM 的電子產品的耗電力可縮減至三分之二，即在充飽一次電的情況下，可將智慧型手機的使用時間自現行的數十小時大幅延長至數百小時。

據日經指出，東北大學預估，2020 年 MRAM 全球需求可望達 7 兆日圓，且隨著記憶體需求持續自 DRAM 轉移至 MRAM，預估包含智慧型手機等電子機器、製造設備及材料等相關領域計算，整體 MRAM 相關經濟效應將達 100 兆日圓。

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下代記憶體問世有望？南韓新技術破解 ReRAM 研發難題

[ TechNews // 作者 MoneyDJ | 發布日期 2014 年 05 月 27 日 8:17 尖端科技 , 晶片 , 零組件]

被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」（Resistive Random Access Memory、ReRAM）發展出現突破，韓國研究人員利用單層石墨烯（graphene）電極，研發出電阻轉換測量科技，或許有望解決 ReRAM 量產的最大障礙。南韓媒體 ETNews 報導，仁荷大學（Inha University）材料科學工程系教授 Jeon Hyeong-tak 和 Seoh Hyeong-tak 25 日宣布開發出新科技，用和碳原子相同厚度的單層石墨烯，取代上層電阻，石墨烯極為輕薄，使得測量電極的信號變化成為可能。ReRAM 靠著絕緣體的電阻變化，區別 0 和 1，外界認為或許能取代 NAND 型快閃記憶體（NAND Flash），但是 ReRAM 商業化的最大障礙在於運作原理不明，難以測量。新科技或許有望突破此一限制，但是仍需更多研究才能擴大運用。

Market Realist 4 月 28 日報導，美光科技（Micron Technology）和 Sony 在國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference）上表示，正透過 27 奈米製程，開發 16-Gbit 的 ReRAM；Sony 預定 2015 年量產 ReRAM 晶片。專家表示，三星（Samsung）應該也在研發包括ReRAM的次世代儲存科技。另外，SK Hynix、Crossbar、Panasonic、HP 也在開發替代的非揮發性記憶體，如 ReRAM、相變化記憶體（Phase Change Memory、PCM)、磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM）。

日經新聞1月1日報導，東芝（Toshiba）將攜手南韓 SK Hynix 於 2016 年度量產可大幅提高智慧型手機效能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）」，量產時間將比美國美光科技（Micron Technology Inc.）所計畫的 2018 年提前了約 2 年時間。

（精實新聞記者陳苓報導）